تأثیر میدان های الکتریکی فضایی و مغناطیسی بر انرژی بستگی ناخالصی و خودقطبیده گی در سیم کوانتومی مربعی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یاسوج
- نویسنده سولماز موسوی
- استاد راهنما ابراهیم صادقی ابوالقاسم عوض پور
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1387
چکیده
چکیده ندارد.
منابع مشابه
اثر میدان الکتریکی بر روی نقطه کروی کوانتومی GaAs/AlAs با ناخالصی هیدروژنی جایگزیده در مرکز
In this research, the effect of the uniform electric field on the ground-state of a centered hydrogenic donor impurity in a GaAs/AlAs spherical quantum dot was studied using infinite potential model. In presence of strong electric field, due to the stark effect (perturbing electric field), the ground state energy would increase linearly. In presence of weak electric fields, the normalized bind...
متن کاملتأثیر همزمان فشار و میدان لیزر بر انرژی بستگی ناخالصی در نانو ساختارها
در این پایان نامه نخست به معرفی نانو ساختارها پرداخته و آنگاه ویژگیهای فیزیکی برخی از آنها بررسی شده است. ترازهای انرژی الکترون در نقطه کوانتومی مکعبی تحت تأثیر میدان الکتریکی خارجی محاسبه شده و بر حسب شار ترسیم شده است. قطبش پذیری بر حسب زاویه اعمال میدان خارجی نیز محاسبه و بازاء ابعاد مختلف نقطه کوانتومی ترسیم گردیده است. با استفاده از تغییر متغیر مناسب تأثیر میدان با قطبش بیضوی بر خواص خطی...
15 صفحه اولمقایسه تأثیر وضعیت طاق باز و دمر بر وضعیت تنفسی نوزادان نارس مبتلا به سندرم دیسترس تنفسی حاد تحت درمان با پروتکل Insure
کچ ی هد پ ی ش مز ی هن ه و فد : ساسا د مردنس رد نامرد ي سفنت سرتس ي ظنت نادازون داح ي سکا لدابت م ي و نژ د ي سکا ي د هدوب نبرک تسا طسوت هک کبس اـه ي ناـمرد ي فلتخم ي هلمجزا لکتورپ INSURE ماجنا م ي دوش ا اذل . ي هعلاطم ن فدهاب اقم ي هس عضو ي ت اه ي ندب ي عضو رب رمد و زاب قاط ي سفنت ت ي هـب لاتـبم سراـن نادازون ردنس د م ي سفنت سرتس ي لکتورپ اب نامرد تحت داح INSURE ماجنا درگ ...
متن کاملاثر میدان الکتریکی بر روی نقطه کروی کوانتومی gaas/alas با ناخالصی هیدروژنی جایگزیده در مرکز
در این تحقیق اثر میدان الکتریکی یکنواخت را روی انرژی حالت پایه نقاط کوانتومی کروی gaas/alas با استفاده از مدل پتانسیل نامحدود مورد مطالعه قرار داده ایم. برای میدان های الکتریکی قوی، تغییرات انرژی حالت پایه اثر اشتارک تقریباً به طور خطی با ازدیاد میدان الکتریکی افزایش می یابد . در حضور میدان های الکتریکی ضعیف برای محاسبه انرژی بستگی بهنجار از روش اختلالی در تقریب جرم مؤثر استفاده نمودیم. این انرژ...
متن کاملاثر برهم‌کنش اسپین مدار یکنواخت و میدان مغناطیسی یکنواخت بر خواص توپولوژیکی یک نانو سیم یک بعدی کوانتومی
We theoretically demonstrate the interplay of uniform spin-orbit coupling and uniform Zeeman magnetic field on the topological properties of one-dimensional double well nano wire which is known as Su-Schrieffer-Heeger (SSH) model. The system in the absence of Zeeman magnetic field and presence of uniform spin-orbit coupling exhibits topologically trivial/non–trivial insulator depending on the h...
متن کاملتاثیر ناخالصی الکتریکی بر روی رسانش یک سیم کوانتومی
مطالعه رسانایی الکتریکی در سیستم های مزوسکوپیک یکی از اساسی ترین مسائل در فیزیک نانو ساختار است. در سالهای اخیر، علاقه روزافزونی در مورد رسانش الکتریکی در نقطههای کوانتومی، سیمهای کوانتومی و سیمهای مولکولی وجود داشته است. در اکثر موارد به منظور بررسی رسانش، رسانایی به روش لانداور محاسبه می شود. این روش بیان می کند که رسانایی یک سیستم تک کاناله در دمای صفر و بایاس صفر درست برابر ضریب رسانش اس...
15 صفحه اولمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یاسوج
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023